page eeprom 文章 進(jìn)入page eeprom技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體推出Page EEPROM二合一存儲器提升智能邊緣設(shè)備的性能和能效
- 意法半導(dǎo)體的 Page EEPROM兼?zhèn)銭EPROM存儲技術(shù)的能效和耐用性與閃存的存儲容量和讀寫速度，為面臨極端尺寸和功率限制的應(yīng)用場景提供了一個(gè)混合存儲器。嵌入式系統(tǒng)需要支持日益復(fù)雜的先進(jìn)功能，運(yùn)行數(shù)據(jù)密集型的邊緣 AI 算法，意法半導(dǎo)體的新存儲器可以滿足嵌入式應(yīng)用對存儲容量的日益增長的需求。例如，在耳背式助聽器中，Page EEPROM可以降低物料清單成本，讓助聽器變得更纖薄，佩戴更舒適。除了可穿戴設(shè)備外，Page EEPROM 還是醫(yī)療設(shè)備、資產(chǎn)追蹤器、電動自行車以及其他工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品等應(yīng)用的理想選
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 Page EEPROM
avr eeprom保護(hù)方法.
- 在項(xiàng)目中復(fù)制出來的程序，使用時(shí)可能有些地方需要修改。編譯環(huán)境：WinAVR-20060421+AVRStudio4.12.498ServicePack4基本思路：每份寫到EEPRM的數(shù)據(jù)，都做三個(gè)備份，每個(gè)備份的數(shù)據(jù)都做CRC16校驗(yàn)，只要系統(tǒng)運(yùn)行中出錯(cuò)，錯(cuò)誤地修改了EEPROM數(shù)據(jù)，那么根據(jù)校驗(yàn)字節(jié)就知道哪個(gè)備份的數(shù)據(jù)被修改了，然后用正確的備份覆蓋出錯(cuò)的備份，達(dá)到數(shù)據(jù)恢復(fù)的目的。EEPROMSave.h文件：#defineEepromPageSize 64 //頁容量定義#defineEepromPag
- 關(guān)鍵字： EEPROM avr
EEPROM 和 flash 這樣講，早就懂了！
- 前幾天看到群里在討論存儲器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結(jié)一下。存儲器分為兩大類：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯(cuò)了，只能換一片，自認(rèn)倒霉。人類文明不斷進(jìn)步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機(jī)上下了一個(gè)程序之后發(fā)現(xiàn)有個(gè)地方需要加一句話，為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時(shí)
- 關(guān)鍵字： 存儲器 flash EEPROM
MSPM0在指定Flash地址開辟模擬EEPROM
- 在嵌入式系統(tǒng)中，諸如變頻器和伺服驅(qū)動器等工業(yè)應(yīng)用，乃至CD播放器等眾多消費(fèi)電子產(chǎn)品，都需要保存最近的用戶設(shè)置，在下次上電后加載使用。如果使用MCU內(nèi)置Flash，一般擦寫次數(shù)限制在10k次，無法滿足壽命和耐久性要求，所以只能通過外置EEPROM實(shí)現(xiàn)。TI新推出的MSPM0系列MCU支持使用Flash模擬EEPROM，在小容量存儲需求的場合能節(jié)省外部EEPROM芯片，實(shí)現(xiàn)成本控制。MSPM0系列MCU的Flash容量覆蓋16KB到128KB，其中低32KB的Flash區(qū)域支持10萬次擦寫，而剩余區(qū)域支持1萬
- 關(guān)鍵字： TI MSPM0 模擬 EEPROM
復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品
- 4月27日，上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦微電 NAND Flash EEPROM 存儲器
復(fù)旦微電子推出低功耗超寬電壓I2C串行EEPROM
- 上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司近日推出了低功耗超寬電壓FM24LNXXX系列I2C串行EEPROM存儲器，可滿足CCM、白電、電表儀器、5G通訊、車載等相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用需求。該系列首批容量包含F(xiàn)M24LN64（64Kbit）和FM24LN128（128Kbit）兩個(gè)型號。產(chǎn)品支持1.1V~5.5V超寬工作電壓范圍，溫度覆蓋-40℃~+85℃，全電壓范圍內(nèi)均支持400KHz/1MHz工作頻率，5.5V下典型待機(jī)電流小于1uA，讀寫電流不超過0.8mA，產(chǎn)品滿足400萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存100年的高可靠性
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦微電子 超寬電壓 EEPROM
富士通電子推出能在苛刻環(huán)境正常工作的SPI 2Mbit FRAM
- 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM?注1?。此款容量最高的FRAM產(chǎn)品能在高達(dá)攝氏125度的高溫下正常運(yùn)作，其評測樣品（evaluation sample）現(xiàn)已開始供應(yīng)。?此款FRAM非易失性內(nèi)存在運(yùn)作溫度范圍內(nèi)能保證10兆次讀 / 寫次數(shù)，并支持實(shí)時(shí)記錄像駕駛數(shù)據(jù)或定位數(shù)據(jù)等，這類需要持續(xù)且頻繁的數(shù)據(jù)記錄。由于該內(nèi)存屬于非易失性，并且具有高速寫入特點(diǎn)，即使遇到突然斷電的狀況，寫入的數(shù)據(jù)也能完整保留不會遺失。
- 關(guān)鍵字： IC FRAM EEPROM SPI
富士通電子將自9月推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM產(chǎn)品
- 富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM(?注1?)---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(?注2?)合作開發(fā)，將于今年9月開始供貨。MB85AS8MT是采用SPI接口并與帶電可擦可編程只讀存儲器 (EEPROM) 兼容的非揮發(fā)性內(nèi)存，能在1.6至3.6伏特之間的廣泛電壓范圍運(yùn)作。其一大特色是極低的平均
- 關(guān)鍵字： FRAM EEPROM SOP
數(shù)據(jù)存儲很重要，這塊把錢省不掉？
- 多日后，當(dāng)李工在領(lǐng)導(dǎo)面前拍著桌子指責(zé)我的時(shí)候，我才知道，原來我倆在項(xiàng)目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
- 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù)存儲 EEPROM Flash
EEPROM和EPROM的區(qū)別在哪里？
- EEPROM是指帶電可擦可編程只讀存儲器，是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片，EEPROM可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程，一般用在即插即用。EPROM是一種斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)儲存芯片，它是一組浮柵晶體管，被一個(gè)提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后，EPROM只能用強(qiáng)紫外線照射來擦除，通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個(gè)窗口同時(shí)用來進(jìn)行紫外線擦除。 一、EEPROM和EPROM的發(fā)展歷程不同 在微機(jī)的發(fā)展初期，BIOS都
- 關(guān)鍵字： EEPROM EPROM
支持下一代特性的真正的汽車0級認(rèn)證和低壓1級汽車級EEPROM
- 在當(dāng)今時(shí)代，我們的出行需要汽車等交通工具，與其說追求汽車的多功能和花哨，我們所依賴的更多功能現(xiàn)在被考慮為安全至上，這意味著它們必須滿足更高的要求。集成電路處于惡劣的環(huán)境中，不叫不容易把握，最常見的可能也是汽車。在汽車行業(yè)，常需設(shè)計(jì)能承受溫度達(dá)+125°C的電子控制單元以實(shí)現(xiàn)安全至上的特性，對于滿足這一要求的器件，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是AECQ-100汽車1級，其中1級指該器件已經(jīng)過在-40°C到+125°C之間的環(huán)境溫度范圍內(nèi)運(yùn)行的測試?！ ∵@很重要，因?yàn)槠骷臄?shù)據(jù)表通常將說明在+25℃的環(huán)境溫度下的性能，并顯示
- 關(guān)鍵字： 集成電路 EEPROM
page eeprom介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條page eeprom!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對page eeprom的理解，并與今后在此搜索page eeprom的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對page eeprom的理解，并與今后在此搜索page eeprom的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
page eeprom電路
page eeprom相關(guān)帖子
page eeprom資料下載
page eeprom專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473